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可替代用于OLED、LCD等设备LTPS的全新TFT技术

可替代用于OLED、LCD等设备LTPS的全新TFT技术

本文摘要:据外媒报导,总部坐落于美国的Solar-Tectic公司,日前在宾汉姆顿大学和BlueWaveSemiconductor的帮助下,取得了全新薄膜晶体管(TFT)技术专利,该技术将有助提升有机发光二极管(OLED)、有源矩阵OLED(AMOLEDs)、液晶设备(LCD)显示器以及太阳能电池设备的效率并减少其成本。

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据外媒报导,总部坐落于美国的Solar-Tectic公司,日前在宾汉姆顿大学和BlueWaveSemiconductor的帮助下,取得了全新薄膜晶体管(TFT)技术专利,该技术将有助提升有机发光二极管(OLED)、有源矩阵OLED(AMOLEDs)、液晶设备(LCD)显示器以及太阳能电池设备的效率并减少其成本。与用作生产驱动显示器像素并必须便宜的准分子激光退火的TFT的传统低温多晶硅(LTPS)工艺有所不同,这种新工艺是由金属诱导结晶(MIC)派生而来的,并且用于改性液相外延电子束工艺,需要在较低至232°C的温度下,在金属氧化物,如氧化镁缓冲器基板上沉积厚金属层,然后沉积最后的汽化硅(Si)层并结晶成约50至100nm薄的薄膜,整个流程没任何金属残余物。

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通过用于纳曼光谱和X射线光谱对Si膜展开的分析表明出有了超过188cm2/Vs的电子迁移率(而传统的LTPS电子迁入了则为100cm2/Vs)。研究人员期望通过用于ST和BWS定向的MgO(111)薄膜缓冲器基板进一步提高晶体尺寸,从而进一步提高电子迁移率,最后提升设备效率并有效地降低成本。


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