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AMD公布3D封装技术:处理器与内存、缓存通过硅穿孔堆叠在一起

AMD公布3D封装技术:处理器与内存、缓存通过硅穿孔堆叠在一起

本文摘要:目前的智能手机广泛构建了处理器SoC和内存(DRAM)的填充式PCB(PoP),从AMD日前发布的信息来看,PC产品也未来将会构建类似于的技术。在RiceOil&Gas高性能计算出来会议上,AMD高级副总裁ForrestNorrod讲解,他们于是以第一时间3DPCB技术,目标是将DRAM/SRAM(即内存等)和处理器(CPU/GPU)通过TSV(硅穿孔)的方式统合在一颗芯片中。

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目前的智能手机广泛构建了处理器SoC和内存(DRAM)的填充式PCB(PoP),从AMD日前发布的信息来看,PC产品也未来将会构建类似于的技术。在RiceOil&Gas高性能计算出来会议上,AMD高级副总裁ForrestNorrod讲解,他们于是以第一时间3DPCB技术,目标是将DRAM/SRAM(即内存等)和处理器(CPU/GPU)通过TSV(硅穿孔)的方式统合在一颗芯片中。只不过此前,AMD就首度发售了HBMRAM产品,构建了GPU芯片和RAM芯片统合PCB,但那意味着归属于2.5D方案。

3D填充的益处在于延长了电流传送路径,也就是不会降低功耗。不过,3DPCB的挑战在于如何掌控痉挛。

失望的是,AMD未发布更加多技术细节。AMD称之为,虽然光刻工艺在磨练,但是频率甚至要开始走下坡路,必须一些新的设计助力。只不过Intel今年也发布了取名为Foveros的3D芯片PCB技术,将22nmI/O基板、10nmSunnyCore和四核Atom统合在一起,功耗仅有7瓦。

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